20 шт. бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN фотодатчик



Сохраните в закладки:

Цена:71.74RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

20 шт. бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN фотодатчик

История изменения цены

*Текущая стоимость 71.74 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Aug-18-2025 90.91 руб. 92.71 руб. 91 руб.
Jul-18-2025 73.34 руб. 74.18 руб. 73.5 руб.
Jun-18-2025 89.69 руб. 91.32 руб. 90 руб.
May-18-2025 88.73 руб. 90.88 руб. 89 руб.
Apr-18-2025 70.25 руб. 71.42 руб. 70.5 руб.
Mar-18-2025 87.36 руб. 89.6 руб. 88 руб.
Feb-18-2025 86.94 руб. 88.37 руб. 87 руб.
Jan-18-2025 85.59 руб. 87.95 руб. 86 руб.

Описание товара

20 шт. бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN фотодатчик20 шт. бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN фотодатчик20 шт. бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN фотодатчик20 шт. бикристаллический фототранзистор PT5824C с боковой поверхностью NPN фотодатчик


Боковой двойной кристаллический фототранзистор PT5824C

Цвет: прозрачный

Диапазон спектральной полосы пропускания: 450 --- 1100 нм

Длина волны пиковой чувствительности: 880 нм

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: >30 В

Напряжение пробоя эмиттер-коллектор: >6 В

Ток коллектора при отсутствии света: <100 нA

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: <=0,2 В

Ток коллектора в состоянии ВКЛ.: 1,5 мА

Время нарастания/спада: 15/15 мкс

Расположение двух чипов: горизонтальное направление

Расстояние между центрами двух чипов: 0,61 мм


Для детальных параметров продукта, пожалуйста, проверьте спецификации и загрузите спецификации с веб-сайта компании

Прямые продажи с фабрики, клиенты, покупающие партии, могут связаться с продавцом, чтобы организовать производство

1000 шт./пакет, весь посылка покупки более приемлема


Отличие нескольких бикристаллических фототранзисторов

1.PT2559B/L2, черный, две микросхемы расположены в продольном направлении, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма).

2. PT2559B/H2, черный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма).

3. PT2408B/H2, черный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,80 мм (0,0315 дюйма).

4. PT5824C, прозрачный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма).

5. PT5724C, прозрачный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма), шаг контактов составляет 1,27 мм (0,05 дюйма).

6. PT5524C, прозрачный, две микросхемы расположены горизонтально, расстояние между центрами двух микросхем составляет 0,61 мм (0,024 дюйма), шаг контактов составляет 1,27 мм (0,05 дюйма).


Разница между фотодиодом и фототранзистором

А. Аббревиатура: фотодиод --- PD/фототранзистор --- PT

B. Название PIN: фотодиод --- анод и катод/фототранзистор --- эмиттер и коллектор

C. Структура чипа: фотодиодный --- PN/фототранзистор --- NPN (или PNP)

D. Скорость отклика: фотодиодный --- быстрый/фототранзистор --- медленный

Е. Характеристики усиления: фотодиодный --- нет/фототранзистор --- да

F. Выходная линейность: фотодиодный --- хороший/фототранзистор --- плохой

G. Символ цепи: фотодиод

Фототранзистор




Смотрите так же другие товары: